FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HRF3205S MOSFET de potencia, 100 A,
55 V, 0,008 ohmios, canal N,
Estos son transistores de efecto de campo de potencia de
puerta de silicio modo de mejora de canal N.
Son MOSFET avanzados diseñados, probados y garantizados para
soportar un nivel específico de energía en el modo de operación de avalancha de
averías. Todos estos MOSFET de potencia
están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación,
convertidores de conmutación, controladores de motor, controladores de relé y
controladores para transistores de conmutación bipolar de alta potencia que
requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de la puerta. Estos
tipos se pueden operar directamente desde circuitos integrados.
